Diferencia entre JFET y MOSFET (con tabla)

Los transistores de efecto de campo o JFET son dispositivos eléctricos que se utilizan como amplificadores o interruptores y se han convertido en una parte integral de los chips de memoria. JFET y MOSFET son dos tipos de FET que funcionan según el principio de los transistores de unión, pero son bastante diferentes entre sí.

los diferencia entre JFET y MOSTFET es que la corriente a través de JFET es canalizada por el campo eléctrico a través de la unión PN con polarización inversa, mientras que en MOSFET la conductividad se debe al campo eléctrico transversal en el aislante de óxido metálico incrustado en el semiconductor.

La siguiente diferencia clave entre los dos es que JFET permite menos impedancia de entrada que MOSFET y dado que este último, que tiene un aislante integrado, permite menos fugas de corriente.

JFET, que normalmente se denomina «dispositivo ENCENDIDO», es una herramienta de tipo de agotamiento que tiene baja resistencia al drenaje, mientras que su sucesor MOSFET se denomina normalmente «dispositivo APAGADO» que puede funcionar tanto en modo de agotamiento como en modo mejorado y tiene una alta resistencia al drenaje.

Tabla de comparación entre JFET y MOSFET (en forma tabular)

Parámetro de comparación JFET MOSFET

Impedancia de entrada Impedancia de entrada baja de aproximadamente 108 Ω Alta impedancia de entrada de aproximadamente 1010 a 1015 Ω
Resistencia al drenaje Baja resistencia al drenaje Alta resistencia al drenaje
Fácil de fabricar Es más difícil de fabricar que MOSFET Es comparativamente más fácil de montar que JFET
Precio Menor costo que MOSFET Más costoso que JFET
Modo de funcionamiento Tipo de agotamiento Tanto el tipo de reducción como de mejora

¿Qué es JFET?

JFET, que es una abreviatura de Junction Gate Field Effect Transistor, es un dispositivo unipolar que básicamente tiene tres partes, una fuente, un drenaje y una puerta. Se utiliza principalmente en amplificadores, resistencias e interruptores.

Es un tipo básico de FET que funciona cuando se aplica un pequeño voltaje al terminal de la puerta. Este pequeño voltaje permite que la corriente fluya desde la fuente hasta el drenaje y más allá.

El voltaje aplicado en la puerta (VGS) controla el ancho de la zona de agotamiento y, por lo tanto, la cantidad de corriente que fluye a través del semiconductor. Por lo tanto, la corriente de drenaje que fluye a través del canal es proporcional al voltaje aplicado.

A medida que aumenta el voltaje negativo en el terminal de la puerta, la zona de agotamiento se ensancha y menos corriente fluye a través del canal y, finalmente, llega una etapa donde la zona de agotamiento detiene el flujo de corriente por completo.

JFET se clasifica además en JFET de canal N donde el canal que conecta el drenaje y la fuente está fuertemente dopado con electrones y JFET de canal P donde el canal es rico en agujeros

¿Qué es MOSFET?

MOSFET o semiconductor de óxido metálico FET es una configuración avanzada de FET que tiene cuatro partes para llevar a cabo sus funciones. Se utilizan ampliamente en chips de memoria de computadora, como en celdas de memoria de semiconductores de óxido metálico para almacenar bits.

Aunque MOSFET sigue el principio básico de FET, tiene un diseño más complicado que también lo hace más eficiente. MOSFET también es un dispositivo unipolar que funciona tanto en modos de mejora como de agotamiento para amplificar señales.

Todos los tipos de MOSFET tienen un aislante de óxido metálico que separa el sustrato de la puerta. Cuando se aplica un voltaje en el terminal de la puerta, se forma un canal, debido a la fuerza electrostática, entre el drenaje y la fuente que permite la corriente.

El D-MOSFET funciona en modo de agotamiento donde existe un canal preconstruido y este canal se cierra al aplicar un voltaje, mientras que el E-MOSFET que funciona en el modo de mejora requiere un potencial para crear un canal para el flujo de corriente. MOSFET es un FET más avanzado hecho para aumentar la resistencia de drenaje y aplicar impedancia de entrada infinita mientras reduce la corriente de fuga. Sin embargo, MOSFET requiere un buen mantenimiento debido al riesgo de corrosión asociado debido al aislante de óxido metálico.

Diferencias principales Entre JFET y MOSFET

  • La diferencia clave entre JFET y MOSFET es que la corriente en JFET fluye debido al campo eléctrico en la unión PN y que en MOSFET se debe al campo eléctrico transversal en la capa de óxido metálico.
  • La siguiente diferencia crucial es que JFET tiene una impedancia de entrada más baja mientras que MOSFET prácticamente tiene una impedancia infinita ya que no hay contacto directo entre la puerta y el sustrato.
  • Otra diferencia notable es que JFET tiene una menor resistencia al drenaje, mientras que MOSFET tiene una alta resistencia al drenaje.
  • JFET también tiene una corriente de fuga más alta, pero el MOSFET se curetó para que sea más eficiente con una corriente de fuga más baja.
  • Aunque JFET es más difícil de montar que MOSFET, es menos costoso que este último.

Conclusión

JFET y su sucesor MOSFET se utilizan ampliamente como amplificadores e interruptores en varios campos de aplicación. Sin embargo, MOSFET ha surgido como transistores más competentes para ser utilizados en chips de memoria de computadora.

La principal diferencia entre los dos es que JFET utiliza un campo eléctrico en la unión PN, mientras que MOSFET utiliza un campo eléctrico transversal en la capa de óxido metálico incrustado para la conductividad eléctrica a través del sustrato.

Otra diferencia clave es que JFET no tiene una capa de óxido metálico para el aislamiento que MOSFET posee en su diseño y, por lo tanto, se le dio el nombre Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico o MOSFET.

JFET es la forma más básica de FET, mientras que MOSFET fue diseñado para ser más eficiente y tiene menos corriente de fuga. Esto se logró incorporando la barrera de óxido metálico entre el terminal de la puerta y el sustrato.

Aunque JFET y MOSFET pertenecen a la misma familia de transistores, JFET es muy diferente de su primo MOSFET, que tiene una impedancia y una resistencia al drenaje mucho más altas que JFET.

La diferencia entre JFET y MOSFET los ha llevado a un campo de uso diferente, como JFET se usa más en amplificadores, rectificadores e interruptores, mientras que MOSFET se incorpora en chips de memoria de computadora por su alto nivel de eficiencia.

Referencias

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